1、電壓規(guī)格(VDSS)
俗稱耐壓，至少應(yīng)該為主繞組的3倍，需求留意的是，主繞組的電壓指的是圖2.6中的N2或者N3，而不是二者相加。詳細(xì)而言，圖中為10.5V，因而Q1、Q2的電壓規(guī)格至少為31.5V，思索到10%的動(dòng)搖和1.5倍的保險(xiǎn)系數(shù)，則電壓規(guī)格不應(yīng)該低于31.5 X 1.1X 1.5＝52V。圖中的2SK2313的電壓規(guī)格為60v，契合請(qǐng)求。
其次，依據(jù)普通經(jīng)歷，電壓規(guī)格超越200V的VMOS，飽和導(dǎo)通電阻的優(yōu)勢(shì)就不明顯了，而本錢(qián)卻比二極管高得多，電路也復(fù)雜。因而，用作同步整流時(shí)，主繞組的最高電壓不應(yīng)該高于40V。
2、電流規(guī)格(In)
這個(gè)問(wèn)題主要與最大耗散功率有關(guān)，由于計(jì)算辦法復(fù)雜并且需求實(shí)驗(yàn)停止驗(yàn)證，因而也能夠直接用理論辦法進(jìn)行肯定，即在實(shí)踐的工作環(huán)境中，依照最極端的最高環(huán)境溫度，比方夏天比擬熱的溫度，如35℃，依據(jù)實(shí)踐所需求的工作電流，接上適宜的假負(fù)載，連續(xù)工作2小時(shí)左右，假如MOS管散熱片(TAB)不燙手，就根本上能夠運(yùn)用。這個(gè)辦法固然粗略，但是很簡(jiǎn)單適用。
3、mos飽和導(dǎo)通電阻(RDS（ON）)
越小越好，典型值最好小于10mQ，這個(gè)數(shù)值以從技術(shù)手冊(cè)上查到。
4、極限參數(shù)
ID :最大漏源電流.是指場(chǎng)效應(yīng)管正常工作時(shí)，漏源間所允許通過(guò)的最大電流.場(chǎng)效應(yīng)管的工作電流不應(yīng)超過(guò) ID .此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額.
IDM :最大脈沖漏源電流.體現(xiàn)一個(gè)抗沖擊能力，跟脈沖時(shí)間也有關(guān)系，此參數(shù)會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額.
PD :最大耗散功率.是指場(chǎng)效應(yīng)管性能不變壞時(shí)所允許的最大漏源耗散功率.使用時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管實(shí)際功耗應(yīng)小于 PDSM 并留有一定余量.此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所減額.（此參數(shù)靠不住）
VGS :最大柵源電壓.，一般為：-20V~+20V
Tj :最大工作結(jié)溫.通常為 150 ℃或 175 ℃ ，器件設(shè)計(jì)的工作條件下須確應(yīng)避免超過(guò)這個(gè)溫度，并留有一定裕量. （此參數(shù)靠不住）
TSTG :存儲(chǔ)溫度范圍.
5、靜態(tài)參數(shù)
V(BR)DSS :漏源擊穿電壓.是指柵源電壓 VGS 為 0 時(shí)，場(chǎng)效應(yīng)管正常工作所能承受的最大漏源電壓.這是一項(xiàng)極限參數(shù)，加在場(chǎng)效應(yīng)管上的工作電壓必須小于 V(BR)DSS . 它具有正溫度特性.故應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮. 加負(fù)壓更好。
△V(BR)DSS/ △ Tj :漏源擊穿電壓的溫度系數(shù)，一般為 0.1V/ ℃.
RDS(on) :在特定的 VGS (一般為 10V )、結(jié)溫及漏極電流的條件下， MOSFET 導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗.它是一個(gè)非常重要的參數(shù)，決定了 MOSFET 導(dǎo)通時(shí)的消耗功率.此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所增大（正溫度特性）. 故應(yīng)以此參數(shù)在最高工作結(jié)溫條件下的值作為損耗及壓降計(jì)算.
VGS(th) :開(kāi)啟電壓(閥值電壓).當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓 VGS超過(guò) VGS(th) 時(shí)，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道.應(yīng)用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時(shí)的柵極電壓稱為開(kāi)啟電壓.此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所降低.
IDSS :飽和漏源電流，柵極電壓 VGS=0 、 VDS 為一定值時(shí)的漏源電流.一般在微安級(jí).
IGSS :柵源驅(qū)動(dòng)電流或反向電流.由于 MOSFET 輸入阻抗很大，IGSS 一般在納安級(jí).
6、動(dòng)態(tài)參數(shù)
gfs :跨導(dǎo).是指漏極輸出電流的變化量與柵源電壓變化量之比，是柵源電壓對(duì)漏極電流控制能力大小的量度. gfs 與 VGS 的轉(zhuǎn)移關(guān)系圖如下圖所示.
Qg :柵極總充電電量.MOSFET 是電壓型驅(qū)動(dòng)器件，驅(qū)動(dòng)的過(guò)程就是柵極電壓的建立過(guò)程，這是通過(guò)對(duì)柵源及柵漏之間的電容充電來(lái)實(shí)現(xiàn)的，下面將有此方面的詳細(xì)論述.
Qgs:柵源充電電量.
Qgd :柵漏充電(考慮到 Miller 效應(yīng))電量.
Td(on) :導(dǎo)通延遲時(shí)間.從有輸入電壓上升到 10％ 開(kāi)始到 VDS 下降到其幅值90％ 的時(shí)間 ( 參考下圖 ) .
Tr :上升時(shí)間.輸出電壓 VDS 從 90％ 下降到其幅值 10％ 的時(shí)間.
Td(off) :關(guān)斷延遲時(shí)間.輸入電壓下降到 90％ 開(kāi)始到 VDS 上升到其關(guān)斷電壓時(shí) 10％ 的時(shí)間.
Tf :下降時(shí)間.輸出電壓 VDS 從 10％ 上升到其幅值 90％ 的時(shí)間( 參考下圖 ) .
Ciss:輸入電容，Ciss= CGD + CGS ( CDS 短路).
Coss :輸出電容. Coss = CDS +CGD .
Crss :反向傳輸電容. Crss = CGD .
最后三個(gè)公式非常重要
7、雪崩擊穿特性參數(shù)
這些參數(shù)是 MOSFET 在關(guān)斷狀態(tài)能承受過(guò)壓能力的指標(biāo).如果電壓超過(guò)漏源極限電壓將導(dǎo)致器件處在雪崩狀態(tài).
EAS :單次脈沖雪崩擊穿能量.這是個(gè)極限參數(shù)，說(shuō)明 MOSFET 所能承受的最大雪崩擊穿能量.
IAR :雪崩電流.
EAR :重復(fù)雪崩擊穿能量.
8、熱阻
:結(jié)點(diǎn)到外殼的熱阻.它表明當(dāng)耗散一個(gè)給定的功率時(shí)，結(jié)溫與外殼溫度之間的差值大小.公式表達(dá)⊿ t = PD* .
:外殼到散熱器的熱阻，意義同上.
:結(jié)點(diǎn)到周圍環(huán)境的熱阻，意義同上.
9、體內(nèi)二極管參數(shù)
IS :連續(xù)最大續(xù)流電流(從源極).
ISM :脈沖最大續(xù)流電流(從源極).
VSD :正向?qū)▔航?
Trr :反向恢復(fù)時(shí)間.
Qrr :反向恢復(fù)充電電量.
Ton :正向?qū)〞r(shí)間.(基本可以忽略不計(jì)).
10、一些其他的參數(shù)
Iar:雪崩電流
Ear:重復(fù)雪崩擊穿能量
Eas: 單次脈沖雪崩擊穿能量
di/dt---電流上升率（外電路參數(shù)）
dv/dt---電壓上升率（外電路參數(shù)）
ID(on)---通態(tài)漏極電流
IDQ---靜態(tài)漏極電流（射頻功率管）
IDS---漏源電流
IDSM---最大漏源電流
IDSS---柵-源短路時(shí)，漏極電流
IDS(sat)---溝道飽和電流（漏源飽和電流）
IG---柵極電流（直流）
IGF---正向柵電流
IGR---反向柵電流
IGDO---源極開(kāi)路時(shí)，截止柵電流
IGSO---漏極開(kāi)路時(shí)，截止柵電流
IGM---柵極脈沖電流
IGP---柵極峰值電流
IF---二極管正向電流
IGSS---漏極短路時(shí)截止柵電流
IDSS1---對(duì)管第一管漏源飽和電流
IDSS2---對(duì)管第二管漏源飽和電流
Iu---襯底電流
Ipr---電流脈沖峰值（外電路參數(shù)）
gfs---正向跨導(dǎo)
Gp---功率增益
Gps---共源極中和高頻功率增益
GpG---共柵極中和高頻功率增益
GPD---共漏極中和高頻功率增益
ggd---柵漏電導(dǎo)
gds---漏源電導(dǎo)
K---失調(diào)電壓溫度系數(shù)
Ku---傳輸系數(shù)
L---負(fù)載電感（外電路參數(shù)）
LD---漏極電感
Ls---源極電感
rDS---漏源電阻
rDS(on)---漏源通態(tài)電阻
rDS(of)---漏源斷態(tài)電阻
rGD---柵漏電阻
rGS---柵源電阻
Rg---柵極外接電阻（外電路參數(shù)）
RL---負(fù)載電阻（外電路參數(shù)）
R(th)jc---結(jié)殼熱阻
R(th)ja---結(jié)環(huán)熱阻
PD---漏極耗散功率
PDM---漏極最大允許耗散功率
PIN--輸入功率
POUT---輸出功率
PPK---脈沖功率峰值（外電路參數(shù)）
Tj---結(jié)溫
Tjm---最大允許結(jié)溫
Ta---環(huán)境溫度
Tc---管殼溫度
Tstg---貯成溫度
VGSF--正向柵源電壓（直流）
VGSR---反向柵源電壓（直流）
VDD---漏極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
VGG---柵極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
Vss---源極（直流）電源電壓（外電路參數(shù)）
V（BR）GSS---漏源短路時(shí)柵源擊穿電壓
VDS(on)---漏源通態(tài)電壓
VDS(sat)---漏源飽和電壓
VGD---柵漏電壓（直流）
Vsu---源襯底電壓（直流）
VDu---漏襯底電壓（直流）
VGu---柵襯底電壓（直流）
Zo---驅(qū)動(dòng)源內(nèi)阻
η---漏極效率（射頻功率管）
Vn---噪聲電壓
aID---漏極電流溫度系數(shù)
ards---漏源電阻溫度系數(shù)
二、重要性參數(shù)
1、 V ( BR ) DSS 的正溫度系數(shù)特性.這一有異于雙極型器件的特性使得其在正常工作溫度升高后變得更可靠.但也需要留意其在低溫冷啟機(jī)時(shí)的可靠性.
2、 V ( GS) th 的負(fù)溫度系數(shù)特性.柵極門(mén)檻電位隨著結(jié)溫的升高會(huì)有一定的減小.一些輻射也會(huì)使得此門(mén)檻電位減小，甚至可能低于 0 電位.這一特性需要工程師注意MOSFET 在此些情況下的干擾誤觸發(fā)，尤其是低門(mén)檻電位的MOSFET 應(yīng)用.因這一特性，有時(shí)需要將柵極驅(qū)動(dòng)的關(guān)閉電位設(shè)計(jì)成負(fù)值(指 N 型， P 型類推)以避免干擾誤觸發(fā).閾值電壓是負(fù)溫度系數(shù)。 輻射環(huán)境下，閾值電壓會(huì)迅速降為0，為了在輻射環(huán)境下關(guān)斷MOS，需在GS加反壓。
MOS的開(kāi)關(guān)速度（即斜率）和溫度毫無(wú)關(guān)系，但導(dǎo)通（0V到Vgsth的時(shí)間叫導(dǎo)通延時(shí)）和關(guān)斷延時(shí)與溫度有關(guān)，溫度越高，時(shí)間越短。
3、VDSon/RDSon 的正溫度系數(shù)特性. VDSon/RDSon 隨著結(jié)溫的升高而略有增大的特性使得 MOSFET 的直接并聯(lián)使用變得可能.雙極型器件在此方面恰好相反，故其并聯(lián)使用變得相當(dāng)復(fù)雜化. RDSon 也會(huì)隨著 ID 的增大而略有增大，這一特性以及結(jié)和面 RDSon 正溫度特性使得 MOSFET 避免了象雙極型器件那樣的二次擊穿. 額定電壓高的MOS有更高的RDS正溫度特性。
但要注意此特性效果相當(dāng)有限，在并聯(lián)使用、推挽使用或其它應(yīng)用時(shí)不可完全依賴此特性的自我調(diào)節(jié)，仍需要一些根本措施.
這一特性也說(shuō)明了導(dǎo)通損耗會(huì)在高溫時(shí)變得更大.故在損耗計(jì)算時(shí)應(yīng)特別留意參數(shù)的選擇.
4、 ID 的負(fù)溫度系數(shù)特性
ID 會(huì)隨著結(jié)溫度升高而有相當(dāng)大的減額.這一特性使得在設(shè)計(jì)時(shí)往往需要考慮的是其在高溫時(shí)的 ID 參數(shù).
5、雪崩能力 IER/EAS 的負(fù)溫度系數(shù)特性.結(jié)溫度升高后，雖然會(huì)使得 MOSFET 具有更大的V ( BR ) DSS ，但是要注意 EAS 會(huì)有相當(dāng)大的減額.也就是說(shuō)高溫條件下其承受雪崩的能力相對(duì)于常溫而言要弱很多.
6、 MOSFET的體內(nèi)寄生二極管導(dǎo)通能力及反向恢復(fù)表現(xiàn)并不比普通二極管好.在設(shè)計(jì)中并不期望利用其作為回路主要的電流載體.往往會(huì)串接阻攔二極管使體內(nèi)寄生二極管無(wú)效，并通過(guò)額外并聯(lián)二極管構(gòu)成回路電流載體.但在同步整流等短時(shí)間導(dǎo)通或一些小電流要求的情況下是可以考慮將其作為載體的.
7、 漏極電位的快速上升有可能會(huì)發(fā)生柵極驅(qū)動(dòng)的假觸發(fā)現(xiàn)象 (spurious-trigger) .故在很大的 dVDS/dt 應(yīng)用場(chǎng)合(高頻快速開(kāi)關(guān)電路)需要考慮這方面的可能性.
Rth(j-c)與PD的關(guān)系，Tc(環(huán)境溫度)=Tj-Rth(j-c)*PD
反過(guò)來(lái)可以推出，環(huán)境每上升一度，PD下降數(shù)值.(此參數(shù)靠不住）
主要參數(shù)
1.開(kāi)啟電壓VT
開(kāi)啟電壓（又稱閾值電壓）：使得源極S和漏極D之間開(kāi)始形成導(dǎo)電溝道所需的柵極電壓；
標(biāo)準(zhǔn)的N溝道MOS管，VT約為3～6V；
通過(guò)工藝上的改進(jìn)，可以使MOS管的VT值降到2～3V。
2. 直流輸入電阻RGS
即在柵源極之間加的電壓與柵極電流之比
這一特性有時(shí)以流過(guò)柵極的柵流表示
MOS管的RGS可以很容易地超過(guò)1010Ω。
3. 漏源擊穿電壓BVDS
在VGS=0（增強(qiáng)型）的條件下，在增加漏源電壓過(guò)程中使ID開(kāi)始劇增時(shí)的VDS稱為漏源擊穿電壓BVDS
ID劇增的原因有下列兩個(gè)方面：
（1）漏極附近耗盡層的雪崩擊穿
（2）漏源極間的穿通擊穿
有些MOS管中，其溝道長(zhǎng)度較短，不斷增加VDS會(huì)使漏區(qū)的耗盡層一直擴(kuò)展到源區(qū)，使溝道長(zhǎng)度為零，即產(chǎn)生漏源間的穿通，穿通后，源區(qū)中的多數(shù)載流子，將直接受耗盡層電場(chǎng)的吸引，到達(dá)漏區(qū)，產(chǎn)生大的ID
4. 柵源擊穿電壓BVGS
在增加?xùn)旁措妷哼^(guò)程中，使柵極電流IG由零開(kāi)始劇增時(shí)的VGS，稱為柵源擊穿電壓BVGS。
5. 低頻跨導(dǎo)gm
在VDS為某一固定數(shù)值的條件下，漏極電流的微變量和引起這個(gè)變化的柵源電壓微變量之比稱為跨導(dǎo)
gm反映了柵源電壓對(duì)漏極電流的控制能力
是表征MOS管放大能力的一個(gè)重要參數(shù)
一般在十分之幾至幾mA/V的范圍內(nèi)
6. 導(dǎo)通電阻RON
導(dǎo)通電阻RON說(shuō)明了VDS對(duì)ID的影響，是漏極特性某一點(diǎn)切線的斜率的倒數(shù)
在飽和區(qū)，ID幾乎不隨VDS改變，RON的數(shù)值很大，一般在幾十千歐到幾百千歐之間
由于在數(shù)字電路中，MOS管導(dǎo)通時(shí)經(jīng)常工作在VDS=0的狀態(tài)下，所以這時(shí)的導(dǎo)通電阻RON可用原點(diǎn)的RON來(lái)近似
對(duì)一般的MOS管而言，RON的數(shù)值在幾百歐以內(nèi)
7. 極間電容
三個(gè)電極之間都存在著極間電容：柵源電容CGS 、柵漏電容CGD和漏源電容CDS
CGS和CGD約為1～3pF
CDS約在0.1～1pF之間
8. 低頻噪聲系數(shù)NF
噪聲是由管子內(nèi)部載流子運(yùn)動(dòng)的不規(guī)則性所引起的
由于它的存在，就使一個(gè)放大器即便在沒(méi)有信號(hào)輸人時(shí)，在輸出端也出現(xiàn)不規(guī)則的電壓或電流變化
噪聲性能的大小通常用噪聲系數(shù)NF來(lái)表示，它的單位為分貝（dB）
這個(gè)數(shù)值越小，代表管子所產(chǎn)生的噪聲越小
低頻噪聲系數(shù)是在低頻范圍內(nèi)測(cè)出的噪聲系數(shù)
場(chǎng)效應(yīng)管的噪聲系數(shù)約為幾個(gè)分貝，它比雙極性三極管的要小
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