MOS管（場效應(yīng)管）的電路符號會有多種變化，電路中最常見的設(shè)計是以一條直線代表通道，兩條和通道垂直的線代表源極與漏極，左方和通道平行而且較短的線代表柵極，有時也會將代表通道的直線以破折線代替，主要用于區(qū)分增強(qiáng)型MOSFET或是耗盡型MOSFET。

集成電路芯片上的MOS管為四端元件，除了柵極、源極、漏極外，尚有一基極。MOSFET電路符號中，從通道往右延伸的箭號方向則可表示此元件為N型或是P型的MOSFET。箭頭方向永遠(yuǎn)從P端指向N端，所以箭頭從通道指向基極端的為P型的MOSFET，或簡稱PMOS（代表此元件的通道為P型）；反之若箭頭從基極指向通道，則代表基極為P型，而通道為N型，此元件為N型的MOSFET，簡稱NMOS。在一般分布式MOSFET元件中，通常把基極和源極接在一起，故分布式MOSFET通常為三端元件。而在集成電路中的MOSFET通常因?yàn)槭褂猛粋€基極，所以不標(biāo)示出基極的極性，而在PMOS的柵極端多加一個圓圈以示區(qū)別。

MOS管和晶體管的應(yīng)用區(qū)別

MOS管是可以控制電壓的元件，而晶體管是電流控制元件。在只允許從信號源取較少電流的情況下，應(yīng)選用MOS管；而在信號電壓較低，又允許從信號源取較多電流的條件下，應(yīng)選用晶體管。

MOS管主要利用多數(shù)載流子導(dǎo)電，所以稱之為單極型器件，而晶體管是即有多數(shù)載流子，也利用少數(shù)載流子導(dǎo)電，被稱之為雙極型器件。有些MOS管的源極和漏極可以互換使用，柵壓也可正可負(fù)，靈活性比晶體管好。MOS管能在很小電流和很低電壓的條件下工作，而且它的制造工藝可以很方便地把很多MOS管集成在一塊硅片上，因此MOS管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛的應(yīng)用。
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