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        6. 晶體二極管特性與基本應用
          • 發(fā)布時間:2020-09-29 18:43:44
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          晶體二極管特性與基本應用
          晶體二極管具有什么特性
          二極管的核心是PN結,PN結具有單向導電性,這是二極管的主要特性。
          二極管的導電性能,由加在二極管兩端的電壓和流過二極管的電流決定,這兩者之間的關系稱為二極管的伏安特性。用于定量描述這兩者關系的曲線稱為伏安特性曲線,如圖1-6所示。
          由圖1一6可見,二極管的導電特性可分為正向特性和反向特性兩部分。
          晶體二極管特性
          1.正向特性
          指二極管加上正向電壓時電流和電壓的關系。
          當二極管兩端所加的正向電壓由零逐漸增大時,開始時正向電流很小,幾乎為零,二極管呈現(xiàn)很大的電阻,這個區(qū)域稱為死區(qū)。硅二極管死區(qū)電壓約為0. 5V;鍺二極管死區(qū)電壓約0. 2V。在實際使用中,當二極管正偏電壓小于死區(qū)電壓時,視為其正向電流為零的狀態(tài)。外加電壓超過死區(qū)電壓后,正向電流開始出現(xiàn),直到等于導通電壓,正向電流迅速增加,這時二極管處于正向導通狀態(tài)。硅管的導通電壓為0.6-0. 7V,鍺管的導通電壓為0.2-0.3V.
          2.反向特性
          指二極管加反向電壓時電流和電壓的關系。
          當給二極管加反向電壓時,形成的反向電流很小,而且在很大范圍內基本不隨反向電壓的變化而變化,故這個區(qū)域稱為反向截止區(qū)。反向截止時通過的電流稱為反向飽和電流,通常硅管有幾微安到幾十微安;鍺管有幾十微安到幾百微安。這個電流是衡量二極管質量優(yōu)劣的重要參數(shù),其值越小,二極管質量越好。一般情況下可以忽略反向飽和電流,認為二極管反向不導通。
          如果反向電壓不斷增大到一定值時,反向電流會突然增大,這種現(xiàn)象稱為反向擊穿,這時二極管兩端所加的電壓稱為反向擊穿電壓。普通二極管正常使用時,是不允許出現(xiàn)這種現(xiàn)象的。
          綜上所述,二極管具有加一定的正向電壓導通。加反向電壓截止的特性。這種特性稱為單向導電性。
          晶體二極管及其基本應用
          應用實例1:半導體變流技術
          變流技術是一種電力變換的技術。通常所說的“變流”是指“交流電變直流電,直流電變交流電”。例如,常見的充電器,就使用了交流電變直流電的變流技術。
          晶體二極管特性
          圖5-3所示是三相半波不可控整流電路,任何時刻只有瞬時陽極電壓最高的一相管導通,按電源的相序,每管輪流導通120°。
          應用實例2:開關電源
          開關電源中的應用電路如圖5-4所示,VT1和開關變壓器組成間歇振蕩器,充電器加電后,220V市電經(jīng)VD1半波整流后在VT1的C極上形成一個300V左右的直流電壓,經(jīng)過變壓器初級加到VT1的C極,同時該電壓還經(jīng)啟動電阻R2為VT1的B極提供一個偏置電壓。由于正反饋作用,VT1的Ic迅速上升而飽和,在VT,進入飽和期間,開關變壓器次級繞組產生的感應電壓使VD2導通,向負載輸出一個約9V左右的直流電壓。開關變壓器的反饋繞組產生的感應脈沖經(jīng)VD3整流、C2濾波后產生一個與振蕩脈沖個數(shù)呈正比的直流電壓。此電壓若超過穩(wěn)壓管VD2的穩(wěn)壓值,VD2便導通,此負極性整流電壓便加在VT1的B極,使其迅速截止。VT1的截止時間與其輸出電壓呈反比。VD2的導通/截止直接受電網(wǎng)電壓和負載的影響,電網(wǎng)電壓越低或負載電流越大,VD2的導通時間越短,VT1的導通時間越長;反之,電網(wǎng)電壓越高或負載電流越小,VD3的整流電壓越高,VT1的導通時間越長,VT1的導通時間越短。
          晶體二極管特性
          應用實例3:雙向電力電子開關
          雙向電力電子開關應用電路如圖5-5所示,在斬控式交流調壓電路中電力電子開關必須滿足:開關是全控的,可以控制導通也可以控制關斷,所以必須采用全控型器件。電力電子開關必須是雙向導電的,因此單個器件是無法滿足要求的,必須用多個器件組合而成。開關頻率較高,一般都在90kHz以上。
          晶體二極管特性
          只用了一個可控元件,同時由4個二極管組成橋式連接,使得無論外電路電流方向如何 總是流入晶體管的集電極。
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