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          深圳市烜芯微科技有限公司

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          二極管、三極管、MOS管、橋堆

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        6. 可控硅設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)圖解
          • 發(fā)布時(shí)間:2020-10-26 17:07:06
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          可控硅設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)圖解
          可控硅設(shè)計(jì)知識要點(diǎn)進(jìn)行總結(jié):
          可控硅類別:
          a. 單向可控硅:門極帶阻靈敏型單向可控硅、門極靈敏型單向可控硅、標(biāo)準(zhǔn)型單向可控硅······
          b. 雙向可控硅:標(biāo)準(zhǔn)型雙向可控硅、四象限雙向可控硅、洗衣機(jī)專用雙向可控硅、高結(jié)溫雙向可控硅、瞬態(tài)抑制型雙向可控硅······
          c. 電力電子可控硅:電力電子可控硅模塊芯片、電力電子可控硅模塊組件
          可控硅等效結(jié)構(gòu):
          單向可控硅
          可控硅設(shè)計(jì)
          雙向可控硅
          可控硅設(shè)計(jì)
          對于一個(gè)可控硅,主要看其5個(gè)參數(shù):
          額定平均電流、維持電流、控制極觸發(fā)電壓和電流、 正向阻斷峰值電壓、反向阻斷峰值電壓
          可控硅設(shè)計(jì)
          經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)1:該電路能否將燈點(diǎn)亮?
          可控硅設(shè)計(jì)
          解析:不能,由于控制可控硅關(guān)斷的1,3引腳沒有通路,無觸發(fā)電流
          經(jīng)驗(yàn)教訓(xùn)2:該電路負(fù)載通斷不受MOC3021控制?
          可控硅設(shè)計(jì)
          解析:不受控制,對于交流電,可以不經(jīng)過MOC3021而直接流過可控硅的1,3引腳使其處于控制極導(dǎo)通狀態(tài)
          理解可控硅的“象限”——
          1、為何需要有“象限”這個(gè)概念?“象限”通用命名法?(個(gè)人認(rèn)為:對于象限概念的提出,是為了更好地描述、理解可控硅的特性,就如同笛卡爾引入直角坐標(biāo)系是為了更好地描述二維數(shù)據(jù))
          2、如何區(qū)分不同象限可控硅?
          第一象限:MT2+    Igt+
          第二象限:MT2+    Igt-
          第三象限:MT2 -    Igt-
          第四象限:MT2 -    Igt+
          可控硅設(shè)計(jì)
          可控硅從導(dǎo)通到底關(guān)斷的條件?
          1、單獨(dú)撤去控制極電壓;
          2、MT1,MT2電流小于導(dǎo)通維持電流。
          注意:可控硅MT1、MT2流過的電流小于導(dǎo)通維持電流時(shí),可控硅關(guān)斷,但是單獨(dú)撤去可控硅控制極電壓時(shí),需等到第2個(gè)條件滿足時(shí)才會關(guān)斷
          可控硅設(shè)計(jì)
          一個(gè)改進(jìn)型的可控硅例子
          可控硅設(shè)計(jì)十條黃金規(guī)則
          1.為了導(dǎo)通閘流管(或雙向可控硅),必須有門極電流≧IGT ,直至負(fù)載電流達(dá)到≧IL 。這條件必須滿足,并按可能遇到的最低溫度考慮;
          2.要斷開(切換)閘流管(或雙向可控硅),負(fù)載電流必須
          3. 設(shè)計(jì)雙向可控硅觸發(fā)電路時(shí),只要有可能,就要避開3+象限(WT2-,+);
          4. 為減少雜波吸收,門極連線長度降至最低。返回線直接連至MT1(或陰極),若用硬線,用螺旋雙線或屏蔽線。門極和MT1 間加電阻1kΩ或更小。高頻旁路電容和門極間串接電阻。另一解決辦法,選用H 系列低靈敏度雙向可控硅;
          5. 若dVD/dt 或dVCOM/dt 可能引起問題,在MT1 和MT2 間加入RC 緩沖電路。若高dICOM/dt 可能引起問題,加入一幾mH 的電感和負(fù)載串聯(lián)。另一種解決辦法,采用Hi-Com 雙向可控硅;
          6. 假如雙向可控硅的VDRM 在嚴(yán)重的、異常的電源瞬間過程中有可能被超出,采用下列措施之一:負(fù)載上串聯(lián)電感量為幾μH 的不飽和電感,以限制dIT/dt;用MOV 跨接于電源,并在電源側(cè)增加濾波電路;
          7. 選用好的門極觸發(fā)電路,避開3+象限工況,可以最大限度提高雙向可控硅的dIT/dt 承受能力;
          8. 若雙向可控硅的dIT/dt 有可能被超出,負(fù)載上最好串聯(lián)一個(gè)幾μH 的無鐵芯電感或負(fù)溫度系數(shù)的熱敏電阻。另一種解決辦法:對電阻性負(fù)載采用零電壓導(dǎo)通;
          9. 器件固定到散熱器時(shí),避免讓雙向可控硅受到應(yīng)力。固定,然后焊接引線。不要把鉚釘芯軸放在器件接口片一側(cè)。;
          10.為了長期可靠工作,應(yīng)保證Rth j-a 足夠低,維持Tj 不高于Tjmax ,其值相應(yīng)于可能的最高環(huán)境溫度。
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