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          二極管、三極管、MOS管、橋堆

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          • 發(fā)布時間:2020-11-27 16:54:58
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          詳細(xì)解析MOS管示意圖,構(gòu)造知識要點(diǎn)
          MOS管示意圖,構(gòu)造解析
          下圖MOS管工作原理示意圖為N溝道增強(qiáng)型MOS管工作原理示意圖,其電路符號如圖所示。它是用一塊摻雜濃度較低的P型硅片作為襯底,利用擴(kuò)散工藝在襯底上擴(kuò)散兩個高摻雜濃度的N型區(qū)(用N+表示),并在此N型區(qū)上引出兩個歐姆接觸電極,分別稱為源極(用S表示)和漏極(用D表示)。
          在源區(qū)、漏區(qū)之間的襯底表面覆蓋一層二氧化硅(SiO2)絕緣層,在此絕緣層上沉積出金屬鋁層并引出電極作為柵極(用G表示)。從襯底引出一個歐姆接觸電極稱為襯底電極(用B表示)。由于柵極與其它電極之間是相互絕緣的,所以稱它為絕緣柵型場效應(yīng)管。MOS管工作原理示意圖中的L為溝道長度,W為溝道寬度。
          MOS管示意圖,構(gòu)造
          MOS管示意圖,構(gòu)造解析:上圖所示的MOSFET,當(dāng)柵極G和源極S之間不加任何電壓,即 UGS=0 時,由于漏極和源極兩個N+型區(qū)之間隔有P型襯底,相當(dāng)于兩個背靠背連接的PN結(jié),它們之間的電阻高達(dá)1012W的數(shù)量級,也就是說D、S之間不具備導(dǎo)電的溝道,所以無論漏、源極之間加何種極性的電壓,都不會產(chǎn)生漏極電流ID。
          當(dāng)將襯底B與源極S短接,在柵極G和源極S之間加正電壓,即UGS﹥0時,MOS管工作原理示意圖(a)所示,則在柵極與襯底之間產(chǎn)生一個由柵極指向襯底的電場。在這個電場的作用下,P襯底表面附近的空穴受到排斥將向下方運(yùn)動,電子受電場的吸引向襯底表面運(yùn)動,與襯底表面的空穴復(fù)合,形成了一層耗盡層。
          如果進(jìn)一步提高UGS電壓,使UGS達(dá)到某一電壓UT時,P襯底表面層中空穴全部被排斥和耗盡,而自由電子大量地被吸引到表面層,由量變到質(zhì)變,使表面層變成了自由電子為多子的N型層,稱為“反型層”,MOS管工作原理示意圖(b)所示。
          反型層將漏極D和源極S兩個N+型區(qū)相連通,構(gòu)成了漏、源極之間的N型導(dǎo)電溝道。把開始形成導(dǎo)電溝道所需的UGS值稱為閾值電壓或開啟電壓,用UT表示。顯然,只有UGS﹥UT時才有溝道,而且UGS越大,溝道越厚,溝道的導(dǎo)通電阻越小,導(dǎo)電能力越強(qiáng)。這就是為什么把它稱為增強(qiáng)型的緣故。
          在UGS﹥UT的條件下,如果在漏極D和源極S之間加上正電壓UDS,導(dǎo)電溝道就會有電流流通。漏極電流由漏區(qū)流向源區(qū),因?yàn)闇系烙幸欢ǖ碾娮瑁匝刂鴾系喇a(chǎn)生電壓降,使溝道各點(diǎn)的電位沿溝道由漏區(qū)到源區(qū)逐漸減小,靠近漏區(qū)一端的電壓UGD最小,其值為UGD=UGS-UDS,相應(yīng)的溝道最薄;靠近源區(qū)一端的電壓最大,等于UGS,相應(yīng)的溝道最厚。
          這樣就使得溝道厚度不再是均勻的,整個溝道呈傾斜狀。隨著UDS的增大,靠近漏區(qū)一端的溝道越來越薄。
          MOS管示意圖,構(gòu)造
          當(dāng)UDS增大到某一臨界值,使UGD≤UT時,漏端的溝道消失,只剩下耗盡層,把這種情況稱為溝道“預(yù)夾斷”,MOS管工作原理示意圖(a)所示。繼續(xù)增大UDS(即UDS>UGS-UT),夾斷點(diǎn)向源極方向移動,MOS管工作原理示意圖(b)所示。
          盡管夾斷點(diǎn)在移動,但溝道區(qū)(源極S到夾斷點(diǎn))的電壓降保持不變,仍等于UGS-UT。因此,UDS多余部分電壓[UDS-(UGS-UT)]全部降到夾斷區(qū)上,在夾斷區(qū)內(nèi)形成較強(qiáng)的電場。這時電子沿溝道從源極流向夾斷區(qū),當(dāng)電子到達(dá)夾斷區(qū)邊緣時,受夾斷區(qū)強(qiáng)電場的作用,會很快的漂移到漏極。
          耗盡型。耗盡型是指,當(dāng)VGS=0時即形成溝道,加上正確的VGS時,能使多數(shù)載流子流出溝道,因而“耗盡”了載流子,使管子轉(zhuǎn)向截止。耗盡型MOS場效應(yīng)管,是在制造過程中,預(yù)先在SiO2絕緣層中摻入大量的正離子,因此,在UGS=0時,這些正離子產(chǎn)生的電場也能在P型襯底中“感應(yīng)”出足夠的電子,形成N型導(dǎo)電溝道。
          MOS管示意圖,構(gòu)造解析
          MOS管學(xué)名是場效應(yīng)管,是金屬-氧化物-半導(dǎo)體型場效應(yīng)管,屬于絕緣柵型。其結(jié)構(gòu)示意圖:
          MOS管示意圖,構(gòu)造
          溝道上面圖中,下邊的p型中間一個窄長條就是溝道,使得左右兩塊P型極連在一起,因此mos管導(dǎo)通后是電阻特性,因此它的一個重要參數(shù)就是導(dǎo)通電阻,選用mos管必須清楚這個參數(shù)是否符合需求。
          n型上圖表示的是p型mos管,讀者可以依據(jù)此圖理解n型的,都是反過來即可。因此,不難理解,n型的如圖在柵極加正壓會導(dǎo)致導(dǎo)通,而p型的相反。
          增強(qiáng)型相對于耗盡型,增強(qiáng)型是通過“加厚”導(dǎo)電溝道的厚度來導(dǎo)通,如圖。柵極電壓越低,則p型源、漏極的正離子就越靠近中間,n襯底的負(fù)離子就越遠(yuǎn)離柵極,柵極電壓達(dá)到一個值,叫閥值或坎壓時,由p型游離出來的正離子連在一起,形成通道,就是圖示效果。
          因此,容易理解,柵極電壓必須低到一定程度才能導(dǎo)通,電壓越低,通道越厚,導(dǎo)通電阻越小。由于電場的強(qiáng)度與距離平方成正比,因此,電場強(qiáng)到一定程度之后,電壓下降引起的溝道加厚就不明顯了,也是因?yàn)閚型負(fù)離子的“退讓”是越來越難的。耗盡型的是事先做出一個導(dǎo)通層,用柵極來加厚或者減薄來控制源漏的導(dǎo)通。
          左右對稱圖示左右是對稱的,難免會有人問怎么區(qū)分源極和漏極呢?其實(shí)原理上,源極和漏極確實(shí)是對稱的,是不區(qū)分的。但在實(shí)際應(yīng)用中,廠家一般在源極和漏極之間連接一個二極管,起保護(hù)作用,正是這個二極管決定了源極和漏極,這樣,封裝也就固定了,便于實(shí)用。
          金屬氧化物膜圖中有指示,這個膜是絕緣的,用來電氣隔離,使得柵極只能形成電場,不能通過直流電,因此是用電壓控制的。在直流電氣上,柵極和源漏極是斷路。不難理解,這個膜越薄:電場作用越好、坎壓越小、相同柵極電壓時導(dǎo)通能力越強(qiáng)。壞處是:越容易擊穿、工藝制作難度越大而價(jià)格越貴。
          與實(shí)物的區(qū)別上圖僅僅是原理性的,實(shí)際的元件增加了源-漏之間跨接的保護(hù)二極管,從而區(qū)分了源極和漏極。實(shí)際的元件,p型的,襯底是接正電源的,使得柵極預(yù)先成為相對負(fù)電壓,因此p型的管子,柵極不用加負(fù)電壓了,接地就能保證導(dǎo)通。相當(dāng)于預(yù)先形成了不能導(dǎo)通的溝道,嚴(yán)格講應(yīng)該是耗盡型了。好處是明顯的,應(yīng)用時拋開了負(fù)電壓。
          寄生電容上圖的柵極通過金屬氧化物與襯底形成一個電容,越是高品質(zhì)的mos,膜越薄,寄生電容越大,經(jīng)常mos管的寄生電容達(dá)到nF級。這個參數(shù)是mos管選擇時至關(guān)重要的參數(shù)之一,必須考慮清楚。
          Mos管用于控制大電流通斷,經(jīng)常被要求數(shù)十K乃至數(shù)M的開關(guān)頻率,在這種用途中,柵極信號具有交流特征,頻率越高,交流成分越大,寄生電容就能通過交流電流的形式通過電流,形成柵極電流。消耗的電能、產(chǎn)生的熱量不可忽視,甚至成為主要問題。為了追求高速,需要強(qiáng)大的柵極驅(qū)動,也是這個道理。
          試想,弱驅(qū)動信號瞬間變?yōu)楦唠娖剑菫榱?ldquo;灌滿”寄生電容需要時間,就會產(chǎn)生上升沿變緩,對開關(guān)頻率形成重大威脅直至不能工作。
          如何工作在放大區(qū)Mos管也能工作在放大區(qū),而且很常見。做鏡像電流源、運(yùn)放、反饋控制等,都是利用mos管工作在放大區(qū),由于mos管的特性,當(dāng)溝道處于似通非通時,柵極電壓直接影響溝道的導(dǎo)電能力,呈現(xiàn)一定的線性關(guān)系。
          由于柵極與源漏隔離,因此其輸入阻抗可視為無窮大,當(dāng)然,隨頻率增加阻抗就越來越小,一定頻率時,就變得不可忽視。這個高阻抗特點(diǎn)被廣泛用于運(yùn)放,運(yùn)放分析的虛連、虛斷兩個重要原則就是基于這個特點(diǎn)。這是三極管不可比擬的。
          發(fā)熱原因Mos管發(fā)熱,主要原因之一是寄生電容在頻繁開啟關(guān)閉時,顯現(xiàn)交流特性而具有阻抗,形成電流。有電流就有發(fā)熱,并非電場型的就沒有電流。
          另一個原因是當(dāng)柵極電壓爬升緩慢時,導(dǎo)通狀態(tài)要“路過”一個由關(guān)閉到導(dǎo)通的臨界點(diǎn),這時,導(dǎo)通電阻很大,發(fā)熱比較厲害。第三個原因是導(dǎo)通后,溝道有電阻,過主電流,形成發(fā)熱。
          主要考慮的發(fā)熱是第1和第3點(diǎn)。許多mos管具有結(jié)溫過高保護(hù),所謂結(jié)溫就是金屬氧化膜下面的溝道區(qū)域溫度,一般是150攝氏度。超過此溫度,mos管不可能導(dǎo)通。溫度下降就恢復(fù)。要注意這種保護(hù)狀態(tài)的后果。
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