整流二極管尖峰吸收電路
關于Flyback的次級側整流二極管的RC尖峰吸收問題，在處理此類尖峰問題上此處用RCD吸收會比用RC吸收效果更好，用RCD吸收，其整流管尖峰電壓可以壓得更低(合理的參數(shù)搭配，可以完全吸收，幾乎看不到尖峰電壓)，而且吸收損耗也更小。
從這兩張仿真圖看來，其吸收效果相當，如不考慮二極管開通時高壓降，可以認為吸收已經完全。
此處的RCD吸收設計，可以這樣認為：為了吸收振蕩尖峰，C應該有足夠的容值，已便在吸收尖峰能量后，電容上的電壓不會太高，為了平衡電容上的能量，電阻R需將存儲在電容C中的漏感能量消耗掉；
所以理想的參數(shù)搭配，是電阻消耗的能量剛好等于漏感尖峰中的能量(此時電容C端電壓剛好等于Uin/N+Uo)，因為漏感尖峰能量有很多不確定因素，計算法很難湊效，所以下面介紹一種實驗方法來設計。
1.選一個大些的電容(如100nF)做電容C，D選取一個夠耐壓>1.5*(Uin/N+Uo)的超快恢復二極管(如1N4148;
2.可以選一個較小的電阻10K，1W電阻做吸收的R;
3.逐漸加大負載，并觀察電容C端電壓與整流管尖峰電壓;
如C上電壓紋波大于平均值的20%，需加大C值;如滿載時，C端電壓高于Uin/N+Uo太多(20%以上，根據(jù)整流管耐壓而定)，說明吸收太弱，需減小電阻R;
如滿載時，C上電壓低于或等于Uin/N+Uo，說明吸收太強，需加大電阻R;如滿載時C上電壓略高于Uin/N+Uo(5%~10%，根據(jù)整流管耐壓而定)，可視為設計參數(shù)合理
在不同輸入電壓下，再驗證參數(shù)是否合理，最終選取合適的參數(shù)。
再看看兩種吸收電路對應的吸收損耗問題(以Flyback為例)：
采用RC吸收：C上的電壓在初級MOS開通后到穩(wěn)態(tài)時的電壓為Vo+Ui/N,(Vo為輸出電壓，Ui輸入電壓，N為變壓器初次級匝比)，因為我們設計的RC的時間參數(shù)遠小于開關周期，可以認為在一個吸收周期內，RC充放電能到穩(wěn)態(tài)，所以每個開關周期，其吸收損耗的能量為：
次級漏感尖峰能量+RC穩(wěn)態(tài)充放電能量，近似為RC充放電能量=C*(Vo+Ui/N)^2(R上消耗能量，每個周期充一次放一次)，所以RC吸收消耗的能量為 fsw*C*(Vo+Ui/N)^2,以DC300V輸入，20V輸出，變壓器匝比為5，開關頻率為100K，吸收電容為2.2nF為例，其損耗的能量為 2.2N*(20+300/5)^2*100K=1.4w。
采用RCD吸收，因為采用RCD吸收，其吸收能量包括兩部分，一部分是電容C上的DC能量，一部分就是漏感能量轉換到C上的尖峰能量，因為漏感非常小，其峰值電流由不可能太大，所以能量也非常有限，
相對來講，只考慮R消耗的直流能量就好了，以上面同樣的參數(shù)，C上的直流電壓為Vo+Ui/N=80V，電阻R取47K，其能量消耗為0.14W，相比上面的1.4W，“低碳”效果非凡。
再談談這兩種吸收電路的特點及其他吸收電路：
RC吸收：吸收尖峰的同時也將變壓器輸出的方波能量吸收，吸收效率低，損耗大，但電路簡單，吸收周期與開關頻率一致，可以用在低待機功耗電路中。
RCD吸收：適合所有應用RC吸收漏感尖峰的地方(包括正激、反激、全橋、半橋等拓撲)吸收效率較RC高，但是存在一直消耗電容(一般比較大)儲存的能量的情況，不適合應用在低待機功耗電路中(包括初級MOS管的漏感吸收);
再討論一下ZENER吸收：可以應用于初級MOS漏感尖峰吸收，次級整流管電壓尖峰吸收，還可應用于低待機功耗電路，吸收效率最高，成本高，但ZENER穩(wěn)壓參數(shù)變化較大，需仔細設計。
整流管的反向恢復只會出現(xiàn)在連續(xù)工作模式中，斷續(xù)工作模式的電源拓撲，都不會存在整流管的反向恢復問題;
整流管的電容效應及次級雜散電容與次級漏感會引起振蕩，這種振蕩在整流管大的dv/dt(變壓器連整流管端電壓變化率)和二極管反向恢復電流(連續(xù)模式)影響下，表現(xiàn)為變壓器輸出端+輸出電壓通過次級漏感與整流管等雜散電容的諧振，從而引起整流管反向電壓尖峰。
通俗來講，二極管的反向恢復指正在導通的二極管從導通狀態(tài)轉換為反向截至狀態(tài)的一個動態(tài)過程，這里有兩個先決條件：
二極管在反向截至之前要有一定正向電流(電流大小影響到反向恢復的最大峰值電流及恢復時間，本來已截至的狀態(tài)不在此列，故只有連續(xù)模式才存在反向恢復問題);
為滿足二極管快速進入截至狀態(tài)，會有一個反向電壓加在二極管兩端(這個反向電壓的大小也影響已知二極管的反向恢復電流及恢復時間)。所以看有無反向恢復問題，可以對比其是否具備這兩個條件。
準諧振電路的好處是將斷續(xù)模式整流二極管最大的端變化電壓N*Uo+Uo變成N*Uo-Uo，減小了其整流二極管在初級MOS管開通時的電壓變化率，從而減少了漏感振蕩的激勵源，降低其產生的振蕩尖峰，如幅值不影響整流管耐壓安全，完全可以省去RC等吸收電路。
這里簡單說一下，不管是RCD吸收還是ZVS吸收，其N*Vo/Vclamp(N為變壓器初次級匝比，Vo為輸出電壓，Vclamp為嵌位電壓)越小，吸收的損耗就越小(這里不考慮RCD吸收中的D二極管反向恢復期間回灌的能量)，
如果等于0，那損耗就是0.5*Lleakage*Ip^2*fsw，這個是極限值，也就是說實際的吸收損耗肯定會大于這個數(shù)，要想降低吸收損耗，在滿足MOS耐壓和EMI要求下，提高吸收點電壓就可以降低吸收損耗。
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