MOSFET數據表-開關參數
圖1顯示的是，在TI CSD18531Q5A 60V MOSFET的兩個不同di/dt速率上測得的輸出電荷和反向恢復電荷，這代表了一個事物的兩個方面。
在左側，Qrr在360A/μs時測得的值為85nC，在右邊，2000A/μs時測得的值為146nC。雖然沒有測量部件的di/dt行業(yè)標準，但我們已經發(fā)現，為了得到極地的Qrr，我們的競爭對手將測量時的di/dt速率調低至100 A/us。
圖1：360A/μs（左側）和2000A/μs（右側）時，在CSD18531Q5A上測得的Qrr和QOSS值。
Qrr 甚至可以對測試執(zhí)行性的二極管正向電流 (If) 具有更強的依賴關系。而進一步使事情復雜化的原因在于，某些廠商未將QOSS 作為一個單獨參數包含在內，而是只將這個參數吸收到Qrr 的技術規(guī)格當中。
除了數據表中列出的測試條件，事實上，其它諸如電路板寄生電感和主觀測量方法等考慮也使得比較單獨廠商數據表中的這些參數變得不太可能。
這并不是說這些參數對于設計不重要，而是為了說明，要獲得可靠的比較數據，唯一有效的解決方案就是使用通常的方法和電路板對這些數據進行獨立采集。
在這個系列中將要提到的最后一個參數就是開關時間。這4個參數通常由下方圖2中的波形定義，并且會出現在每個廠商的數據表中。
它們是如此地依賴于電路板和測試條件，以至于FET行業(yè)的一位元老級人物經常把這些參數引用為“FET數據表中最沒用的參數”。
本來是為了指示出開關速度，而實際上，由于這些參數是FET特性值，所以它們至多只反映出驅動器強度和漏電流。
TI在器件的額定電流上進行測試時將這些參數包含在內，而其它廠商只在1A ID 上測試這些參數，其目的在于使它們的器件看起來具有更快的開關速度。
更能說明器件實際開關速度的是器件的柵極電荷參數和內部柵極電阻，Rg，這兩個參數幾乎不受這些技術指針差距 (specmanship) “游戲”的影響。
圖2：定義MOSFET數據表開關時間的波形。
希望文章對你有所啟發(fā)，在閱讀之后能夠更清楚地理解功率MOSFET數據表中出現的參數值和含糊不清的地方。
電話：18923864027（同微信）
QQ：709211280
〈烜芯微/XXW〉專業(yè)制造二極管，三極管，MOS管，橋堆等，20年，工廠直銷省20%，上萬家電路電器生產企業(yè)選用，專業(yè)的工程師幫您穩(wěn)定好每一批產品，如果您有遇到什么需要幫助解決的,可以直接聯(lián)系下方的聯(lián)系號碼或加QQ/微信，由我們的銷售經理給您精準的報價以及產品介紹