MOSFET的工作損耗
在器件設(shè)計選擇過程中需要對 MOSFET 的工作過程損耗進(jìn)行先期計算（所謂先期計算是指在沒能夠測試各工作波形的情況下，利用器件規(guī)格書提供的參數(shù)及工作電路的計算值和預(yù)計波形，套用公式進(jìn)行理論上的近似計算）。
MOSFET 的工作損耗基本可分為如下幾部分：
1.導(dǎo)通損耗Pon
導(dǎo)通損耗，指在 MOSFET 完全開啟后負(fù)載電流（即漏源電流） IDS（on）（t）在導(dǎo)通電阻 RDS（on）上產(chǎn)生之壓降造成的損耗。
導(dǎo)通損耗計算
先通過計算得到 IDS（on）（t）函數(shù)表達(dá)式并算出其有效值 IDS（on）rms，再通過如下電阻損耗計算式計算：
Pon=IDS（on）rms2× RDS（on）× K × Don
說明：
計算 IDS（on）rms時使用的時期僅是導(dǎo)通時間 Ton ，而不是整個工作周期 Ts ； RDS（on） 會隨 IDS（on）（t）值和器件結(jié)點(diǎn)溫度不同而有所不同，此時的原則是根據(jù)規(guī)格書查找盡量靠近預(yù)計工作條件下的 RDS（on） 值（即乘以規(guī)格書提供的一個溫度系數(shù) K ）。
2.截止損耗Poff
截止損耗，指在 MOSFET 完全截止后在漏源電壓 VDS（off） 應(yīng)力下產(chǎn)生的漏電流 IDSS造成的損耗。
截止損耗計算
先通過計算得到 MOSFET 截止時所承受的漏源電壓 VDS（off） ，在查找器件規(guī)格書提供之 IDSS ，再通過如下公式計算：
Poff=VDS（off）× IDSS×（ 1-Don）
說明：
IDSS 會依 VDS（off） 變化而變化，而規(guī)格書提供的此值是在一近似 V（BR）DSS條件下的參數(shù)。如計算得到的漏源電壓 VDS（off）很大以至接近 V（BR）DSS則可直接引用此值，如很小，則可取零值，即忽略此項(xiàng)。
3.開啟過程損壞
開啟過程損耗，指在 MOSFET 開啟過程中逐漸下降的漏源電壓 VDS（off_on）（t）與逐漸上升的負(fù)載電流（即漏源電流） IDS（off_on）（t）交叉重疊部分造成的損耗。
開啟過程損耗計算
開啟過程 VDS（off_on）（t） 與 IDS（off_on）（t） 交叉波形如上圖所示。
首先須計算或預(yù)計得到開啟時刻前之 VDS（off_end）、開啟完成后的 IDS（on_beginning）即圖示之 Ip1，以及 VDS（off_on）（t） 與 IDS（off_on）（t） 重疊時間 Tx。然后再通過如下公式計算：
Poff_on= fs×∫ TxVDS（off_on）（t） × ID（off_on）（t） × dt
實(shí)際計算中主要有兩種假設(shè) — 圖 （A） 那種假設(shè)認(rèn)為 VDS（off_on）（t）的開始下降與 ID（off_on）（t）的逐漸上升同時發(fā)生；
圖 （B） 那種假設(shè)認(rèn)為 VDS（off_on）（t）的下降是從 ID（off_on）（t）上升到最大值后才開始。圖 （C） 是 FLYBACK 架構(gòu)路中一 MOSFET 實(shí)際測試到的波形，其更接近于 （A） 類假設(shè)。
針對這兩種假設(shè)延伸出兩種計算公式：
（A） 類假設(shè) Poff_on=1/6 × VDS（off_end） × Ip1× tr × fs
（B） 類假設(shè) Poff_on=1/2 × VDS（off_end） × Ip1 × （td（on）+tr） × fs
（B） 類假設(shè)可作為最惡劣模式的計算值。
說明：
圖 （C） 的實(shí)際測試到波形可以看到開啟完成后的 IDS（on_beginning）》》Ip1（電源使用中 Ip1 參數(shù)往往是激磁電流的 初始值）。疊加的電流波峰確切數(shù)值我們難以預(yù)計得到，其跟電路架構(gòu)和器件參數(shù)有關(guān)。
例如 FLYBACK 中 實(shí)際電流應(yīng) 是 Itotal=Idp1+Ia+Ib （Ia 為次級端整流二極管的反向恢 復(fù)電流感應(yīng)回初極的電流值 -- 即乘以匝比， Ib 為變壓器 初級側(cè)繞組層間寄生電容在 MOSFET 開關(guān)開通瞬間釋放的 電流 ） 。
這個難以預(yù)計的數(shù)值也是造成此部分計算誤差的主要原因之一。
4.關(guān)斷過程損耗
關(guān)斷過程損耗。指在 MOSFET 關(guān)斷過程中 逐漸上升的漏源電壓 VDS（on_off） （t）與逐漸 下降的漏源電流 IDS（on_off）（t）的交叉重 疊部分造成的損耗。
關(guān)斷過程損耗計算
如上圖所示，此部分損耗計算原理及方法跟 Poff_on類似。
首先須計算或預(yù)計得到關(guān)斷完成后之漏源電壓 VDS（off_beginning）、關(guān)斷時刻前的負(fù)載電流 IDS（on_end）即圖示之 Ip2 以及 VDS（on_off） （t）與 IDS（on_off）（t）重疊時間 Tx 。
然后再通過如下公式計算：
Poff_on= fs×∫ TxVDS（on_off）（t） × IDS（on_off）（t） × dt
實(shí)際計算中，針對這兩種假設(shè)延伸出兩個計算公式：
（A） 類假設(shè) Poff_on=1/6 × VDS（off_beginning） × Ip2 × tf × fs
（B） 類假設(shè) Poff_on=1/2 × VDS（off_beginning） × Ip2 × （td（off）+tf） × fs
（B） 類假設(shè)可作為最惡劣模式的計算值。
說明：
IDS（on_end） =Ip2，電源使用中這一參數(shù)往往是激磁電流 的末端值。因漏感等因素， MOSFET 在關(guān)斷完成后之 VDS（off_beginning）往往都有一個很大的電壓尖峰 Vspike 疊加其 上，此值可大致按經(jīng)驗(yàn)估算。
5.驅(qū)動損壞Pgs
驅(qū)動損耗，指柵極接受驅(qū)動電源進(jìn)行驅(qū)動造成之損耗。
驅(qū)動損耗的計算
確定驅(qū)動電源電壓 Vgs后，可通過如下公式進(jìn)行計算：
Pgs= Vgs × Qg × fs
說明：
Qg 為總驅(qū)動電量，可通過器件規(guī)格書查找得到。
6.Coss電容的泄放損耗Pds
Coss電容的泄放損壞，指MOS輸出電容 Coss 截止期間儲蓄的電場能于導(dǎo)同期間在漏源極上的泄放損耗。
Coss電容的泄放損耗計算
首先須計算或預(yù)計得到開啟時刻前之 VDS，再通過如下公式進(jìn)行計算：
Pds=1/2 × VDS（off_end）2× Coss × fs
說明：
Coss 為 MOSFET 輸出電容，一般可等于 Cds ，此值可通過器件規(guī)格書查找得到。
7.體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗Pd_f
體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗，指MOS體內(nèi)寄生二極管在承載正向電流時因正向壓降造成的損耗。
體內(nèi)寄生二極管正向?qū)〒p耗計算
在一些利用體內(nèi)寄生二極管進(jìn)行載流的應(yīng)用中（例如同步整流），需要對此部分之損耗進(jìn)行計算。
公式如下：
Pd_f = IF × VDF × tx × fs
其中： IF 為二極管承載的電流量， VDF 為二極管正向?qū)▔航担?tx 為一周期內(nèi)二極管承載電流的時間。
說明：
會因器件結(jié)溫及承載的電流大小不同而不同。可根據(jù)實(shí)際應(yīng)用環(huán)境在其規(guī)格書上查找到盡量接近之?dāng)?shù)值。
8.體內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗Pd_recover
體內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗，指MOS體內(nèi)寄生二極管在承載正向電流后因反向壓致使的反向恢復(fù)造成的損耗。
體內(nèi)寄生二極管反向恢復(fù)損耗計算
這一損耗原理及計算方法與普通二極管的反向恢復(fù)損耗一樣。
公式如下：
Pd_recover=VDR × Qrr × fs
其中： VDR 為二極管反向壓降， Qrr 為二極管反向恢復(fù)電量，由器件提供之規(guī)格書中查找而得。
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