推挽，在國(guó)內(nèi)逆變行業(yè)無(wú)處沒(méi)有它的身影，最多的還是車(chē)載逆變器。由于其電路簡(jiǎn)單，功率管數(shù)量少，占用PCB空間也少。但其推挽所選功率管需要2倍輸入電壓特性，在低壓大電流點(diǎn)路中再合適不過(guò)，也成為逆變電源工程師設(shè)計(jì)之首選。
正是因?yàn)榭此坪?jiǎn)單的一個(gè)拓?fù)洌_讓很多設(shè)計(jì)師望而卻步，因?yàn)橥仆煊幸粋€(gè)最頭疼的問(wèn)題，電壓尖峰。
通常推挽拓?fù)渲泄β使苓x用都是MOSFET，而MOSFET失效最多原因往往不是電流而是電壓，這正是由于推挽變換器漏感所致。這就迫使設(shè)計(jì)師不得不降低變壓器漏感，選用更高耐壓功率管，甚至加入各種吸收電路來(lái)滿足設(shè)計(jì)要求，但是卻發(fā)現(xiàn)都不能從根本上解決問(wèn)題。
下面研究一下電壓尖峰的產(chǎn)生機(jī)制
高頻變器設(shè)計(jì)時(shí)，總會(huì)或多或少存在一定漏感，當(dāng)其中一只功率管VT1導(dǎo)通時(shí)，變壓器要向副邊傳送能量，就會(huì)有電流流過(guò)變壓器繞組Lp1，而變壓器漏感可以看作一個(gè)獨(dú)立電感Lm1串聯(lián)在電路中，在電流流過(guò)Lp1時(shí)儲(chǔ)存能量，并在功率管關(guān)斷后釋放能量，如果Lm1儲(chǔ)存的能量在死區(qū)時(shí)間內(nèi)沒(méi)有完全釋放，在另一只功率管VT2導(dǎo)通時(shí)，這就形成了很高電壓尖峰。
大家都知道MOSFET制作工藝時(shí)體內(nèi)有3個(gè)電容，輸入電容GS,輸出電容DS，和反向傳輸電容DG。這個(gè)輸出電容Coss對(duì)尖峰有一定吸收作用，如果漏感能量足夠小，可以得到有效的吸收。如果漏感能量很大，就會(huì)在Coss上形成很高電壓，損壞MOSFET管。
要想控制推挽拓?fù)涔ぷ髟?倍左右輸出電壓，就要讓功率管接近關(guān)斷時(shí)，電流下降接近為0，才能避免尖峰電壓的產(chǎn)生，這里就需要用到軟開(kāi)關(guān)電路。
但是要做到軟開(kāi)關(guān)條件是很苛刻的，一般需要占空比和死區(qū)時(shí)間恒定時(shí)才能達(dá)到。那么只有占空比最大時(shí)，通過(guò)設(shè)置好合理的死區(qū)時(shí)間，可以達(dá)到軟開(kāi)關(guān)條件。
所以這里就有2大難題需要我們解決：
1：閉環(huán)工作時(shí)的電壓尖峰。（占空比沒(méi)有達(dá)到最大時(shí)）
2：開(kāi)環(huán)工作時(shí)的電壓尖峰。（最大占空比時(shí)）
既然我們可以用軟開(kāi)關(guān)解決開(kāi)環(huán)工作時(shí)MOSFET的電壓尖峰，那么我們可以讓機(jī)器在開(kāi)機(jī)和空載時(shí)處于閉環(huán)狀態(tài)，減少待機(jī)功耗。帶載后工作在開(kāi)環(huán)。因?yàn)榭蛰d時(shí)高頻變壓器向副邊傳遞的能量只有待機(jī)損耗，變壓器漏感儲(chǔ)存的能量并不大，漏感尖峰在很小范圍，這樣就能保證MOSFET工作在安全范圍。
接下來(lái)首先要解決的是軟開(kāi)關(guān)。我們先來(lái)看看軟開(kāi)關(guān)電路結(jié)構(gòu)。
這是一個(gè)很常用的諧振電路，Lr為副邊諧振電感，Cr為副邊諧振電容，通過(guò)調(diào)節(jié)Lr和Cr來(lái)調(diào)節(jié)輸出阻抗，使諧振頻率等于工作頻率，也就是使變換器工作在容性和感性的臨界區(qū)域，此時(shí)副邊的工作電流呈正弦。（調(diào)節(jié)Lr和Cr可以控制副邊電流的上升弧度完全正弦，Cr可以起到隔直作用，防止變壓器偏磁。）
下面這張波形為變換器工作在滿載開(kāi)環(huán)下的波形圖。
黃色為副邊Lr的電流波形，藍(lán)色為推挽其中一只功率管的VDS電壓波形
上圖黃色為開(kāi)關(guān)管驅(qū)動(dòng)波形，藍(lán)色為VDS電壓波形
不難看出，初級(jí)邊功率管工作在0電壓開(kāi)關(guān)模式下，副邊整流二極管工作在0電流開(kāi)關(guān)模式下，由于高頻變壓器初次級(jí)耦合存在漏感，副邊整流二極管在電流為0時(shí)，初級(jí)任然有一定電流流過(guò)，當(dāng)然這個(gè)電流很小，這樣在功率管關(guān)斷后，變壓器漏感儲(chǔ)存的能量能夠加速功率管的Coss電容呈線性充電，同時(shí)也給另一只功率管創(chuàng)造了0電壓導(dǎo)通條件。調(diào)節(jié)合適死區(qū)時(shí)間來(lái)滿足漏感能量給Coss充電過(guò)程。就可以實(shí)現(xiàn)功率管工作電壓在2倍輸入電壓下。
閉環(huán)工作時(shí)有2種模式：
1：開(kāi)機(jī)軟啟動(dòng)時(shí)。
2：空載或者負(fù)載很輕時(shí)。
下面來(lái)看一張開(kāi)機(jī)MOSFET的電壓波形
這是輸入24V電壓下功率MOSFET的電壓尖峰，如果選用100VMOSFET，也是是相當(dāng)危險(xiǎn)。
下圖為處理后的開(kāi)機(jī)電壓尖峰波形，基本上已經(jīng)控制在2倍輸入電壓下。
接下來(lái)依次講解處理開(kāi)機(jī)電壓尖峰的處理辦法。
米勒效應(yīng)在MOS驅(qū)動(dòng)中臭名昭著，他是由MOS管的米勒電容引發(fā)的米勒效應(yīng)，在MOS管開(kāi)通過(guò)程中，GS電壓上升到某一電壓值后GS電壓有一段穩(wěn)定值，過(guò)后GS電壓又開(kāi)始上升直至完全導(dǎo)通。
為什么會(huì)有穩(wěn)定值這段呢？因?yàn)椋贛OS開(kāi)通前，D極電壓大于G極電壓，MOS寄生電容Cgd儲(chǔ)存的電量需要在其導(dǎo)通時(shí)注入G極的電荷與其中和，因MOS完全導(dǎo)通后G極電壓大于D極電壓。米勒效應(yīng)會(huì)嚴(yán)重增加MOS的開(kāi)通損耗。
所以就出現(xiàn)了所謂的圖騰驅(qū)動(dòng)！選擇MOS時(shí)，Cgd越小開(kāi)通損耗就越小。米勒效應(yīng)不可能完全消失。
MOS上的電壓尖峰，這個(gè)尖峰電壓是不是等于輸入電壓+反射電壓+漏感電壓
1.開(kāi)關(guān)損耗大。開(kāi)通時(shí)，開(kāi)關(guān)器件的電流上升和電壓下降同時(shí)進(jìn)行；關(guān)斷時(shí)，電壓上升和電流下降同時(shí)進(jìn)行。電壓、電流波形的交疊產(chǎn)生了開(kāi)關(guān)損耗，該損耗隨開(kāi)關(guān)頻率的提高而急速增加。
2.感性關(guān)斷電尖峰大。當(dāng)器件關(guān)斷時(shí)，電路的感性元件感應(yīng)出尖峰電壓，開(kāi)關(guān)頻率愈高，關(guān)斷愈快，該感應(yīng)電壓愈高。此電壓加在開(kāi)關(guān)器件兩端，易造成器件擊穿。
3.容性開(kāi)通電流尖峰大。當(dāng)開(kāi)關(guān)器件在很高的電壓下開(kāi)通時(shí)，儲(chǔ)存在開(kāi)關(guān)器件結(jié)電容中的能量將以電流形式全部耗散在該器件內(nèi)。頻率愈高，開(kāi)通電流尖峰愈大，從而引起器件過(guò)熱損壞。另外，二極管由導(dǎo)通變?yōu)榻刂箷r(shí)存在反向恢復(fù)期，開(kāi)關(guān)管在此期間內(nèi)的開(kāi)通動(dòng)作，易產(chǎn)生很大的沖擊電流。頻率愈高，該沖擊電流愈大，對(duì)器件的安全運(yùn)行造成危害。
4.電磁干擾嚴(yán)重。隨著頻率提高，電路中的di/dt和dv/dt增大，從而導(dǎo)致電磁干擾（EMI）增大，影響整流器和周?chē)娮釉O(shè)備的工作。
軟開(kāi)關(guān)是在硬開(kāi)關(guān)電路的基礎(chǔ)上，加入電感、電容等諧振器件，在開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換過(guò)程中引入諧振過(guò)程，開(kāi)關(guān)在其兩端的電壓為零時(shí)導(dǎo)通;或使流過(guò)開(kāi)關(guān)器件的電流為零時(shí)關(guān)斷，使開(kāi)關(guān)條件得以改善，降低硬開(kāi)關(guān)的開(kāi)關(guān)損耗和開(kāi)關(guān)噪聲，從而提高了電路的效率
QR， 有人叫“類(lèi)共振”，也叫做“準(zhǔn)諧振”。
基本架構(gòu)還是Flyback，只不過(guò)是利用變壓器漏感形成類(lèi)似共振的效果。有共振當(dāng)然電壓波形就會(huì)有出現(xiàn)弦波，再利用弦波的波谷段將MOSFET導(dǎo)通，此時(shí)在MOSFET D-S 兩端的VDS最小，以此達(dá)到減少切換損失達(dá)成高效率的要求。MOSFET導(dǎo)通時(shí)VDS最小，就是導(dǎo)通時(shí)的dv/dt最小，EMI特性會(huì)大大優(yōu)化。
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