PMOS晶體管，也稱為P溝道金屬氧化物半導體，是一種晶體管形式，其中溝道或柵極區(qū)域使用p型摻雜劑。這個晶體管與NMOS晶體管完全相反。這些晶體管包含三個主要端子：源極、柵極和漏極。晶體管的源極端子由p型基板構成，而漏極端子由n型基板構成。該晶體管中的電流由電荷載流子（例如空穴）傳導。下面顯示了PMOS晶體管的符號。
PMOS晶體管工作原理
p型晶體管的工作方式與n型晶體管非常不同。當該晶體管接收到非零電壓時，它將產生開路，從而阻止電流從柵極（G）端子流向源極（S）。與此類似，當該晶體管接收到約0伏的電壓時，它形成一個閉合電路，這意味著電流從柵極（G）端子流向漏極（D）。
反轉氣泡是這個氣泡的另一個名稱。因此，這個圓圈的主要目的是反轉輸入電壓的值。該逆變器將柵極端子處的電壓1轉換為零，并根據(jù)需要操作電路。因此，PMOS和NMOS晶體管用于完全不同的目的。如果我們將它們組合成一個MOS電路，它將轉換為CMOS（互補金屬氧化物半導體）電路。
pmos晶體管的各個工作區(qū)域
PMOS晶體管的工作區(qū)域包括源極區(qū)域、漏極區(qū)域、極門區(qū)域和極源區(qū)域。源極區(qū)域是晶體管的輸入端，漏極區(qū)域是晶體管的輸出端，極門區(qū)域是晶體管的控制端，極源區(qū)域是晶體管的電源端。
如何對NMOS和PMOS的工作區(qū)域進行判斷呢？
方法一：分別進行討論，注意PMOS中的值都是負數(shù)∶
方法二：利用絕對值判斷
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